روشهای تونل زنی در آستانه یک دگرگونی بزرگ
author
Abstract:
This article doesn't have abstract
similar resources
تونل زنی کوانتمی دوبعدی در یک نانواسکوئید
اسکوئید یا وسیله تداخل کوانتمی ابررسانا یکی از حساس¬ترین ابزار نسبت به میدان¬های مغناطیسی است. اسکوئید متشکل از یک یا دو پیوندگاه جوزفسون است. امروزه بدلیل نیاز فناوری اطلاعات و پزشکی اسکوئیدهایی در ابعاد نانو ساخته می شوند. بطور کلی می¬توان نانواسکوئیدها را به دو نوع تقسیم بندی کرد. در نوع اول عرض پیوندگاه جوزفسون به ابعادی در حدود 1 نانومتر کاهش یافته و در نوع دوم قطر حلقه به کمتر از 100 نانو...
کمردرد مزمن، نمادی از آستانه پایین احساس درد در کارکنان شاغل در یک مجتمع صنعتی بزرگ
Background: Job related Low Back Pain (LBP) is considered as the most common disabling musculo-skeletal complaint that can lead to compensation claims by workers. Although physical injuries at work place have been known as a reason for LBP, other factors such as a low pain threshold may contribute to the chronicity of LBP. This study aimed to determine the frequency of Fibromyalgia Syndrome...
full textتونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی متا مواد تک منفی
در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارFTIRبررسی میکنیم ساختارFTIRشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو PIMNIM تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...
full textمشخصه جریان- ولتاژ یک دیود تونل زنی تشدیدی تحت تابش موج الکترومغناطیسی
In this paper, current-voltage characteristic of a resonant tunneling diode under electromagnetic radiation has been calculated and compared with the results when there is no electromagnetic radiation. For calculating current -voltage characteristic, it is required to calculate the transmission coefficient of electrons from the well and barrier structures of this device. For calculating the tr...
full textاثر تونل زنی تزریقی بر پاسخ مدولاسیون لیزرهای نقطه کوانتومی
In this paper, modulation bandwidth characteristics of InGaAs/GaAs quantum dot (QD) laser were theoretically investigated. Simulation was done by using the fourth order Runge-Kutta method. Effect of carrier relaxation life time, temperature and current density on characteristics of tunneling injection QD laser (TIL) and conventional QD laser (CL) were analyzed. Results showed that tunneling inj...
full textMy Resources
Journal title
volume 39 issue 0
pages -
publication date 1978-11-22
By following a journal you will be notified via email when a new issue of this journal is published.
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023